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更新時間：2021-08-30 
瀏覽次數(shù)：855快速退火爐是現(xiàn)代大范圍集成電路消費工藝過程中的關鍵配備。主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制造、生長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金構(gòu)成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速開展，展開快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研討，對國內(nèi)開發(fā)和研討具有自主學問產(chǎn)權(quán)的快速退火爐配備，有著非常重要的理論意義和工程應用價值。
公司針對現(xiàn)代半導體器件退火工藝對快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)請求，在綜合剖析國內(nèi)外各種快速退火滬系統(tǒng)技術(shù)根底上，經(jīng)過深化的剖析研討，設計了系統(tǒng)總體技術(shù)計劃。擬定采用燈光輻射型熱源安裝，上下兩排成正交的燈管組對位于其中間的半導體硅片停止直接加熱完成溫度的快速上升，以單點測溫作為溫度丈量的處理計劃作為系統(tǒng)總體計劃。
依據(jù)熱傳導根本理論，以完成系統(tǒng)總體技術(shù)指標作為己知參數(shù)計算得到系統(tǒng)所需求的熱功率，在此根底上完成熱源與反響腔體、冷卻系統(tǒng)、送氣系統(tǒng)等部件的設計。經(jīng)過剖析影響硅片外表溫度邊緣效應的要素，提出燈管分區(qū)及分區(qū)控制的設計計劃，完成硅片外表溫度的平均性。
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